高德红外：一款制冷型大面阵小像元探测器芯片通过专家评审

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高德红外公司6月3日晚宣布，该公司开发的碲镉汞制冷红外焦平面阵列探测器项目最近通过了国家技术转移中心的评估。探测器芯片的规模为1280×1024，像素尺寸为12μm，这是高德红外在掌握了非制冷1280×1024@12μm探测器芯片的开发技术后，在制冷大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。

据专家组介绍，该探测器芯片的主要技术性能指标达到或优于国际同类产品。该项目是典型的高科技两用产品，具有良好的社会效益和经济效益前景。建议进一步加快推广开发和推广应用。

高德红外表示，探测器芯片采用的敏感材料、最大面积阵列和最小像素代表了中国制冷红外探测器芯片研发和制造的最高水平，大大提高了红外热像仪系统的空分辨率，提高了探测距离和识别距离，引领红外焦平面探测器芯片技术向大面积阵列规格和小像素尺寸方向发展。

本项目的成功开发将大大提高高端红外热成像产品的性能指标，达到国际先进水平，为我国大阵列、小像素碲镉汞红外焦平面探测器芯片的产业化扫清障碍，打破红外成像系统高端核心芯片的技术垄断，实现进口替代，从而有效促进我国高端碲镉汞材料和探测器芯片产业核心能力的提升。(李万晨喜)

(主编上官梦露计划李晚喜)